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NVHL110N65S3F-HXY
NVHL110N65S3F-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有32A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为650V，导通电阻典型值为94mΩ，栅源电压工作范围为-10V至+25V。得益于碳化硅材料特性，器件在高频开关条件下仍能保持较低的导通与开关损耗，适用于高效率、高功率密度的电源转换系统，如服务器电源、可再生能源逆变器及高频DC-DC变换器等场合。
- 商品型号
- NVHL110N65S3F-HXY
- 商品编号
- C53133920
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.28克(g)
商品参数
参数完善中
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