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STW34N65M5-HXY
STW34N65M5-HXY
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- 描述
- 该碳化硅场效应管为N沟道结构，额定漏极电流ID为32A，最大漏源电压VDSS达650V，导通电阻RDS(ON)为94mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件采用碳化硅材料，具备高耐压、低导通损耗及优异的高温工作能力，适用于对效率和功率密度要求较高的电力转换场景，可有效提升系统整体性能与可靠性。
- 商品型号
- STW34N65M5-HXY
- 商品编号
- C53133919
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.14克(g)
商品参数
参数完善中
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