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2N7002P,215-JSM
N沟道增强型MOSFET，采用表面贴装封装和先进沟槽单元设计，具备低阈值电压和ESD保护
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- 描述
- 数量：1个N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 导通电阻(RDS(on))：2.5Ω@4.5V 耗散功率(Pd)：350mW 阈值电压(Vgs(th))：1.6V
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- 2N7002P,215-JSM
- 商品编号
- C53113838
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0312克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.9Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 830mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 305pC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 30pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 4.2pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 表面贴装封装
- 先进沟槽单元设计
- 极低阈值电压
- ESD保护（HBM > 2KV）
- BV ≈ 60V
- Ptot ≈ 0.83W
- ID ≈ 0.5A
- RDS(on) ≈ 3Ω @ VGS = 10V
- RDS(on) ≈ 4Ω @ VGS = 4.5V
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