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PESD5V0S2BT,215-JSM
ESD保护二极管阵列，双向和单向配置，固态硅雪崩技术，低钳位电压、低漏电流、低电容，可保护两条数据线
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- 描述
- 反向截止电压(Vrwm)：5V 钳位电压：16V 峰值脉冲电流(Ipp)：20A 峰值脉冲功率(Ppp)：300W@8/20us 击穿电压：6V
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- PESD5V0S2BT,215-JSM
- 商品编号
- C53113839
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0321克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 双向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 5V | |
| 钳位电压 | 16V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 20A@8/20us | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 300W@8/20us | |
| 击穿电压(VBR) | 7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 500nA | |
| 通道数 | 双路 | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-5；IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 120pF |
商品特性
- 300瓦峰值脉冲功率（脉冲时间tp = 8/20微秒）
- 双向和单向配置
- 固态硅雪崩技术
- 低钳位电压
- 低漏电流
- 低电容（典型结电容Cj = 120皮法）
- 保护两条数据线
- 符合IEC61000 - 4 - 2标准，接触放电±30kV，空气放电±30kV
- 符合IEC61000 - 4 - 4（电快速瞬变脉冲群）标准，40A（5/50纳秒）
- 符合IEC61000 - 4 - 5（雷击浪涌）标准，20A（8/20微秒）
- SOT - 23封装
- 模塑料可燃性等级：UL 94V - 0
- 包装形式：卷带包装
- 符合RoHS/WEEE标准
应用领域
- 数据线
- 自动取款机
- 网络
- 电力线
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