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IPL60R125C7
1个N沟道 耐压:600V 电流:17A
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPL60R125C7
- 商品编号
- C537023
- 商品封装
- VSON-4-EP(8.1x8.1)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.30625克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 125mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 103W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
CoolMOS C7是高压功率MOSFET的一项革命性技术，依据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS C7系列融合了领先SJ MOSFET供应商的经验与卓越创新。600V C7是首款导通电阻RDS(on)与芯片面积A的乘积低于1Ω·mm²的技术。
商品特性
- 适用于硬开关和软开关(PFC和高性能LLC)
- 将MOSFET的dv/dt抗扰度提升至120V/ns
- 凭借同类最佳的品质因数RDS(on) * Eoss和RDS(on) * Qg提高效率
- 同类最佳的导通电阻RDS(on)/封装
- 采用寄生电感极低的SMD封装,便于器件控制
- 符合JÉDEC(J-STD20和JESD22)工业级应用标准
- 采用4引脚开尔文源极概念
应用领域
- 用于高功率/高性能开关电源(SMPS)的PFC级和PWM级(TTF、LLC),如计算机、服务器、电信、UPS和太阳能领域。