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IPL60R1K5C6S

IPL60R1K5C6S

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商品型号
IPL60R1K5C6S
商品编号
C537032
商品封装
TSON-8-EP(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.171克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)1.9A
导通电阻(RDS(on))1.5Ω@10V
耗散功率(Pd)26.6W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)9.4nC@10V
输入电容(Ciss)200pF
反向传输电容(Crss)41.3pF
工作温度-40℃~+150℃

商品概述

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术,它基于超结(SJ)原理设计。CoolMOS C6系列融合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流的创新技术。该系列器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优势,同时不失易用性。极低的开关损耗和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便且低温。

商品特性

  • 极低的FOM(Rdson*Qg和Eoss)带来极低的损耗
  • 极高的换向坚固性
  • 易于使用/驱动
  • 无铅镀层,无卤模塑料
  • 符合JEDEC(J-STD20和JESD22)工业级应用标准

应用领域

  • 功率因数校正(PFC)级、硬开关PWM级和谐振开关PWM级,例如用于个人电脑电源、适配器、液晶和等离子电视、照明、服务器、电信和不间断电源(UPS)。

数据手册PDF