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IPL60R285P7
1个N沟道 耐压:600V 电流:13A
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- 描述
- CoolMOS第7代平台是用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换相的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且更凉爽。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPL60R285P7
- 商品编号
- C537035
- 商品封装
- VSON-4-EP(8.1x8.1)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 285mΩ@10V,3.8A | |
| 耗散功率(Pd) | 59W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 761pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 14pF |
商品概述
CoolMOS第七代平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术，基于超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列是CoolMOS P6系列的继任者。它将快速开关SJ MOSFET的优势与出色的易用性相结合，例如极低的振铃倾向、体二极管在硬换流时的出色耐用性以及优异的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且散热更好。
商品特性
- 由于具有出色的换流耐用性，适用于硬开关和软开关（PFC和LLC）
- 显著降低开关和传导损耗
- 所有产品的ESD耐用性优异，>2kV（HBM）
- 低RDS(on)A（低于1Ohmmm²）使RDS(on)/封装产品比竞品更具优势
- 完全符合JEDEC工业应用标准
应用领域
- 用于PC主机、适配器、LCD和PDP电视、照明、服务器、电信和UPS等的PFC级、硬开关PWM级和谐振开关级。