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IPL65R230C7
1个N沟道 耐压:650V 电流:7A
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- 描述
- CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS C7系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验和一流的创新。该产品组合具备快速开关超结MOSFET的所有优势，提供更高的效率、降低的栅极电荷、易于实施和出色的可靠性。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPL65R230C7
- 商品编号
- C537049
- 商品封装
- VSON-4(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.28克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 230mΩ@10V,2.4A | |
| 耗散功率(Pd) | 67W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 996pF@400V | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF@400V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。CoolMOS C7系列融合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流的创新技术。该产品组合具备快速开关超结MOSFET的所有优势，可实现更高的效率、更低的栅极电荷、易于应用以及卓越的可靠性。
商品特性
- 增强了MOSFET的dv/dt鲁棒性
- 凭借同类最佳的品质因数RDS(on) * Eoss和RDS(on) * Qg，实现更高的效率
- ThinPAK SMD封装，寄生电感极低，可实现快速可靠的开关，同时尺寸最小化，提高功率密度
- 由于设有驱动源极引脚，便于更好地控制栅极，易于使用和驱动
- 无铅镀层，无卤模塑料
- 符合JEDEC（J-STD20和JESD22）标准，适用于工业级应用
应用领域
- 计算机的PFC级和硬开关PWM级-服务器的PFC级和硬开关PWM级-电信的PFC级和硬开关PWM级-UPS的PFC级和硬开关PWM级-太阳能的PFC级和硬开关PWM级