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IPN60R1K0CE
1个N沟道 耐压:600V 电流:6.8A
- 描述
- CoolMOS是用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS CE是一个性价比优化的平台，能够在满足最高效率标准的同时，瞄准消费和照明市场中对成本敏感的应用。新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优点，同时不牺牲易用性，并提供市场上最佳的成本降低性能比。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPN60R1K0CE
- 商品编号
- C537077
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.213215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V,1.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 280pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 21pF |
交货周期
订货7-9个工作日购买数量
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