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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.3Ω@10V,0.59A | |
| 耗散功率(Pd) | 6.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 120pF@500V | |
| 反向传输电容(Crss) | 38pF@500V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS™ PFD7是一个经过优化的平台，专为消费市场中对成本敏感的应用而定制，如充电器、适配器、电机驱动、照明等。该新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优势，同时拥有出色的性价比和先进的易用性。这项技术符合最高效率标准，支持高功率密度，使客户能够实现非常纤薄的设计。
商品特性
- 由于极低的品质因数（RDS(on) * Qg）和（RDS(on) * Eoss），损耗极低
- 开关损耗Eoss低，热性能出色
- 体二极管速度快
- RDS(on)和封装类型丰富多样
- 集成齐纳二极管
应用领域
- 高密度充电器中使用的零电压开关（ZVS）拓扑
- 适配器
- 照明
- 电机驱动应用