温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IPP048N12N3 G
耐压:120V 电流:100A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：N沟道，正常电平。 出色的栅极电荷×导通电阻 (RDS(on)) 乘积 (FOM)。 极低的导通电阻RDS(on)。 工作温度175℃。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 适用于高频开关和同步整流。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPP048N12N3 G
- 商品编号
- C537133
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.954克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.8mΩ@10V,100A | |
| 耗散功率(Pd) | 300W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 182nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 12nF@60V | |
| 反向传输电容(Crss) | 81pF@60V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
优惠活动
购买数量
(50个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个50个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单