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IPP076N12N3 G
IPP076N12N3 G
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPP076N12N3 G
- 商品编号
- C537144
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.89克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.6mΩ@10V,100A | |
| 耗散功率(Pd) | 188W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 101nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.64nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 841pF@60V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- N沟道，常电平
- 出色的栅极电荷x导通电阻RDS(on)乘积（品质因数）
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 工作温度达175°C
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准；无卤
- 按照JEDEC标准针对目标应用进行了认证
- 非常适合高频开关和同步整流