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IPP083N10N5
1个N沟道 耐压:100V 电流:73A
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPP083N10N5
- 商品编号
- C537146
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 73A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.73nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 28pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 非常适合高频开关和同步整流。
- 具有出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积(品质因数)
- 极低的导通电阻 RDS(on)
- N 沟道,标准电平
- 100% 经过雪崩测试
- 无铅镀层;符合 RoHS 标准
- 按照 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证
- 根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品