- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IPP180N10N3 G
N沟道、常电平OptiMOs 3功率晶体管，具有低导通电阻和出色的栅极电荷与导通电阻乘积，适用于高频开关和同步整流
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPP180N10N3 G
- 商品编号
- C537169
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 43A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 71W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.35nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 237pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- N沟道,常电平
- 出色的栅极电荷x导通电阻RDS(on)乘积(品质因数)
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 工作温度可达175°C
- 引脚无铅电镀;符合RoHS标准
- 按照JEDEC标准针对目标应用进行了认证
- 非常适合高频开关和同步整流
- 按照IEC61249 - 2 - 21标准无卤