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IPP60R080P7
1个N沟道 耐压:650V 电流:37A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPP60R080P7
- 商品编号
- C537189
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@10V,11.8A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 129W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 51nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.18nF@400V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CoolMOS™ 第七代平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS™ P7系列是CoolMOS™ P6系列的换代产品。它结合了快速开关超结MOSFET的优势与出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管在硬换相时的卓越耐用性以及出色的静电放电（ESD）能力。此外，极低的开关和导通损耗使开关应用更加高效、紧凑且散热更好。
商品特性
- 由于具有出色的换相耐用性，适用于硬开关和软开关（功率因数校正（PFC）和 LLC 谐振电路）
- 显著降低开关和导通损耗
- 所有产品的ESD耐用性极佳，人体模型（HBM）静电放电抗扰度 >2kV
- 低导通电阻（RDS(on)）与芯片面积乘积（低于1欧姆·平方毫米）使RDS(on)/封装产品优于竞争对手
- 完全符合JEDEC工业应用标准
应用领域
- 功率因数校正（PFC）级
- 硬开关脉宽调制（PWM）级
- 用于个人电脑主机、适配器、液晶和等离子电视、照明、服务器、电信和不间断电源（UPS）的谐振开关级