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IPP60R099CP
1个N沟道 耐压:650V 电流:31A
- 描述
- 特性：极低的导通电阻Rds(on)。 超低的栅极电荷。 极高的dv/dt额定值。 高脉冲电流能力。 符合JEDEC工业级应用标准。 无铅引脚镀层，符合RoHS标准，无卤模塑料。应用：服务器和电信的硬开关开关电源拓扑
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPP60R099CP
- 商品编号
- C537193
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 31A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 99mΩ@10V,18A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 255W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.8nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
交货周期
订货1-3个工作日购买数量
(1个/管，最小起订量 1000 个)个
起订量：1000 个1个/管
总价金额：
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