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IPP60R280CFD7实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPP60R280CFD7

1个N沟道 耐压:600V 电流:6A

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商品型号
IPP60R280CFD7
商品编号
C537215
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2.05克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)-
连续漏极电流(Id)6A
导通电阻(RDS(on))280mΩ@10V
耗散功率(Pd)52W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)18nC@10V
输入电容(Ciss)807pF
反向传输电容(Crss)249pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术,它依据超结(SJ)原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的后续产品,是为软开关应用(如移相全桥(ZVS)和LLC)量身定制的优化平台。由于栅极电荷(Qg)降低、具备同类最佳的反向恢复电荷(Qrr)以及改善的关断特性,CoolMOS CFD7在谐振拓扑中实现了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分,该新产品系列融合了快速开关技术的所有优势,同时具备出色的硬换向鲁棒性,且在设计导入过程中易于实现。CoolMOS CFD7技术符合最高的效率和可靠性标准,并且支持高功率密度解决方案。总体而言,CoolMOS CFD7使谐振开关拓扑更高效、更可靠、更轻便且更低温。

商品特性

-超快体二极管-低栅极电荷-同类最佳的反向恢复电荷(Qrr)-改善了MOSFET反向二极管的dv/dt和diF/dt鲁棒性-最低的品质因数RDS(ON)*Qg和RDS(ON)*Eoss-SMD和THD封装中同类最佳的RDS(ON)

应用领域

  • 软开关拓扑
  • 移相全桥(ZVS)、LLC应用——服务器、电信、电动汽车充电
  • 工业应用

数据手册PDF