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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 125mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 101W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.67nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。 CoolMOS C7系列融合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流的创新技术。该产品组合具备快速开关超结MOSFET的所有优势，能提供更高的效率、更低的栅极电荷、易于实施且具有出色的可靠性。
商品特性
- 增强了MOSFET的dv/dt鲁棒性
- 凭借同类最佳的品质因数RDS(on) * Eoss和RDS(on) * Qg实现更高的效率
- 同类最佳的RDS(on)/封装
- 易于使用/驱动
- 无铅镀层,无卤模塑料
- 符合JEDEC(J - STD20和JESD22)标准的工业级应用要求
应用领域
-例如计算机、服务器、电信、UPS和太阳能等领域的PFC级和硬开关PWM级。