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IPP65R190C6
1个N沟道 耐压:650V
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- 描述
- CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS C6系列将领先的SJ MOSFET供应商的经验与高级创新相结合。所提供的器件在不牺牲易用性的情况下，具备快速开关SJ MOSFET的所有优点。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便和凉爽。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPP65R190C6
- 商品编号
- C537233
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.82克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 170mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 151W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 73nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS C6系列融合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流的创新。所提供的器件在不牺牲易用性的同时，具备快速开关SJ MOSFET的所有优势。极低的开关损耗和导通损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便且散热更好。
商品特性
-由于极低的品质因数Rdson*Qg和Eoss,损耗极低-极高的换向鲁棒性-易于使用/驱动-通过JEDEC认证,无铅电镀,无卤素
应用领域
-例如用于PC主机、适配器、液晶和等离子电视、照明、服务器、电信和UPS的PFC级、硬开关PWM级和谐振开关PWM级。