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IPP80R360P7实物图
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IPP80R360P7

1个N沟道 耐压:800V 电流:13A

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描述
特性:同类最佳的品质因数 RDS(on) * EGS,ij,降低 Ωg、Ciss 和 Ciss。 同类最佳的 DPAK RDS(on)。 同类最佳的 VGS(th) 为 3V,最小的 VGS(th) 变化为 ±0.5V。 集成齐纳二极管 ESD 保护。 完全符合 JEDEC 工业应用标准。 完全优化的产品组合。应用:适用于 LED 照明、低功率充电器和适配器、音频、辅助电源和工业电源的硬开关和软开关反激拓扑。 适用于消费应用和太阳能的 PFC 级
商品型号
IPP80R360P7
商品编号
C537260
商品封装
TO-220-3​
包装方式
管装
商品毛重
2.845克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)800V
连续漏极电流(Id)13A
导通电阻(RDS(on))360mΩ@10V,5.6A
耗散功率(Pd)84W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)30nC@10V
输入电容(Ciss)930pF@500V
反向传输电容(Crss)16pF@500V
工作温度-55℃~+150℃

数据手册PDF

优惠活动

  • 7.1

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