IPS65R1K0CE
IPS65R1K0CE
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPS65R1K0CE
- 商品编号
- C537279
- 商品封装
- TO-251-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.677克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 68W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 328pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 58.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CoolMOS是用于高压功率MOSFET的革命性技术，按照超结（SJ）原理设计。CoolMOS CE是一个经过性价比优化的平台，在满足最高效率标准的同时，可用于消费和照明市场对成本敏感的应用。新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优势，同时不牺牲易用性，并且拥有市场上最佳的降本性能比。
商品特性
- 极低的FOM(Rdson*Qg和Eoss),损耗极低
- 极高的换向鲁棒性
- 易于使用和驱动
- 无铅镀层,无卤模塑料
- 适用于标准等级应用
应用领域
- 电脑主机
- 适配器
- 液晶和等离子电视
- 室内照明