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IPSA70R1K4CE实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPSA70R1K4CE

IPSA70R1K4CE

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商品型号
IPSA70R1K4CE
商品编号
C531186
商品封装
TO-251-3​
包装方式
管装
商品毛重
0.677克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)750V
连续漏极电流(Id)5.4A
导通电阻(RDS(on))1.4Ω@10V,1A
耗散功率(Pd)53W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3.5V
栅极电荷量(Qg)10.5nC@10V
输入电容(Ciss)225pF@100V
反向传输电容(Crss)-
工作温度-40℃~+150℃

商品概述

CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术,依据超结(SJ)原理设计。CoolMOS CE是一个经过性价比优化的平台,在满足最高效率标准的同时,能够瞄准消费和照明市场中对成本敏感的应用。该新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优势,同时不牺牲易用性,并且提供了市场上最佳的降本性能比。

商品特性

~~- 由于极低的品质因数RDS(ON)*Qg和Eoss,损耗极低-极高的换向坚固性-易于使用/驱动-无铅镀层,无卤模塑料-适用于标准等级应用-引脚间具备耐受隔离

应用领域

  • 适配器-LCD与PDP电视-室内照明

数据手册PDF