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IPT004N03L
1个N沟道 耐压:30V 电流:300A
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- 描述
- 特性：针对电子保险丝和或门应用进行优化。 在VGS ≅ 4.5 V时具有极低的导通电阻RDS(on)。 经过100%雪崩测试。 具有出色的热阻。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅镀铅；符合RoHS标准
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPT004N03L
- 商品编号
- C531197
- 商品封装
- HSOF-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.34克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.37mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 163nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 24nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 590pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
最新的800V CoolMOS™ P7系列为800V超结技术树立了新标杆，将一流的性能与先进的易用性相结合，这得益于英飞凌超过18年的超结技术创新先驱经验。
商品特性
- 针对电熔丝和或门应用进行优化
- 在 VGS = 4.5 V 时,导通电阻RDS(ON)极低
- 经过 100% 雪崩测试
- 出色的热阻性能
- N 沟道
- 针对目标应用符合 JEDEC 标准
- 无铅引脚镀层;符合 RoHS 标准
应用领域
- 推荐用于LED照明、低功率充电器和适配器、音频、辅助电源和工业电源的硬开关和软开关反激式拓扑。
- 也适用于消费类应用和太阳能领域的功率因数校正（PFC）级。