IPT210N25NFD
IPT210N25NFD
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPT210N25NFD
- 商品编号
- C531207
- 商品封装
- HSOF-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 69A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@10V,69A | |
| 耗散功率(Pd) | 375W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 86nC@125V | |
| 输入电容(Ciss) | 7nF@125V | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.4pF@125V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
最新的800V CoolMOS™ P7系列为800V超结技术树立了新标杆，将一流的性能与最先进的易用性相结合，这得益于英飞凌超过18年的超结技术创新先驱经验。
商品特性
- 一流的品质因数（导通电阻 * 输出电容能量）；降低了栅极电荷、输入电容和输出电容
- 一流的DPAK导通电阻
- 一流的3V栅源阈值电压，且栅源阈值电压变化最小，仅为±0.5V
- 集成齐纳二极管静电放电保护
- 完全符合JEDEC工业应用标准
- 产品组合全面优化
应用领域
- 推荐用于LED照明、低功率充电器和适配器、音频、辅助电源和工业电源的硬开关和软开关反激式拓扑。
- 也适用于消费类应用和太阳能领域的功率因数校正（PFC）级。