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IPU80R900P7
800V CoolMOS P7功率晶体管
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- 描述
- 最新的800V CoolMOS P7系列在800V超结技术中树立了新的标杆，将一流的性能与先进的易用性相结合，这得益于英飞凌18年多来在超结技术创新方面的开拓。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPU80R900P7
- 商品编号
- C531230
- 商品封装
- TO-251-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.677克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 900mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 350pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的中功率DFN2020MD - 6（SOT1220）表面贴装器件（SMD）塑料封装N沟道增强型场效应晶体管（FET）。
商品特性
- 一流的品质因数 RDS(on) * Eoss;降低 Qg、Ciss 和 Coss
- 一流的DPAK封装 RDS(on)
- 一流的3V V(GS)th 以及最小的 \pm 0.5V V(GS)th 变化
- 集成齐纳二极管静电放电保护
- 完全符合JEDEC工业应用标准
- 全面优化的产品组合
应用领域
- 推荐用于LED照明、低功率充电器和适配器、音频、辅助电源和工业电源的硬开关和软开关反激式拓扑。
- 也适用于消费类应用和太阳能的功率因数校正(PFC)级。