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IPW60R080P7
1个N沟道 耐压:650V 电流:110A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPW60R080P7
- 商品编号
- C537458
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 129W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 51nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.18nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CoolMOS™ 第七代平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术，依据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS™ P7系列是CoolMOS™ P6系列的后续产品。它将快速开关超结MOSFET的优势与出色的易用性相结合，例如极低的振铃倾向、体二极管在硬换相时的卓越耐用性以及出色的静电放电（ESD）能力。此外，极低的开关和导通损耗使开关应用更加高效、紧凑且散热更好。
商品特性
- 由于具有出色的换相耐用性,适用于硬开关和软开关(PFC和LLC)
- 显著降低开关和导通损耗
- 所有产品的ESD耐用性出色,>2kV(HBM)
- 低RDS(on)A(低于1欧姆平方毫米)使RDS(on)/封装产品优于竞品
- 完全符合JEDEC工业应用标准
应用领域
- 用于PC主机、适配器、液晶和等离子电视、照明、服务器、电信和不间断电源(UPS)的PFC级、硬开关PWM级和谐振开关级。