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IPW65R019C7
650V CoolMOS C7功率晶体管
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- 描述
- CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS C7系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验和一流的创新。产品组合具备快速开关超结MOSFET的所有优势，提供更高的效率、降低的栅极电荷、易于实施和出色的可靠性。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPW65R019C7
- 商品编号
- C537484
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.55克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 62A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 446W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 215nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。 CoolMOS C7系列融合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与卓越创新。该产品组合具备快速开关超结MOSFET的所有优势，提供更高的效率、更低的栅极电荷、易于实施且可靠性出众。
商品特性
- 增强了MOSFET的dv/dt鲁棒性
- 凭借同类最佳的品质因数RDS(on) * Eoss和RDS(on) * Qg实现更高效率
- 同类最佳的每封装RDS(on)
- 易于使用/驱动
- 无铅电镀,无卤模塑料
- 根据JEDEC(J-STD20和JESD22)标准,适用于工业级应用
应用领域
- 用于计算机、服务器、电信、UPS和太阳能领域的PFC级和硬开关PWM级。