IPW80R360P7
1个N沟道 耐压:800V 电流:13A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPW80R360P7
- 商品编号
- C537502
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.55克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 360mΩ@10V,5.6A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 84W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 930pF@500V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
最新的800V CoolMOS™ P7系列为800V超结技术树立了新标杆，将一流性能与最先进的易用性相结合，这得益于英飞凌超过18年的超结技术创新先驱经验。
商品特性
- 一流的品质因数：漏源导通电阻 (RDS(on)) * 输出电容能量 (Eoss)；降低栅极电荷 (Qg)、输入电容 (Ciss) 和输出电容 (Coss)
- DPAK封装下一流的漏源导通电阻 (RDS(on))
- 一流的3V栅源阈值电压 (V(GS)th) 和最小的±0.5V V(GS)th变化
- 集成齐纳二极管静电放电保护
- 完全符合JEDEC工业应用标准
- 全面优化的产品组合
应用领域
-LED照明-低功率充电器和适配器-音频-辅助电源-工业电源-消费应用中的功率因数校正 (PFC) 级-太阳能