温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 500mΩ@10V,6.6A | |
| 耗散功率(Pd) | 156W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 68nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.7nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 最低品质因数 Ron × Qg
- 极高 dv/dt 额定值
- 高尖峰电流能力
- 针对目标应用通过 JEDEC 认证
- 无铅引脚镀层；符合 RoHS 标准
- 超低栅极电荷
应用领域
- 准谐振反激/正激拓扑-电脑主机及消费类应用-工业开关电源