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IPW65R080CFDA

耐压:650V 电流:43.3A

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描述
CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。650V CoolMOS CFDA系列结合了领先超结MOSFET供应商的经验与一流的创新。由此产生的器件具备快速开关超结MOSFET的所有优点,同时提供极快且坚固的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与高稳健性相结合,使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。
商品型号
IPW65R080CFDA
商品编号
C537490
商品封装
TO-247​
包装方式
管装
商品毛重
8.5025克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)43.3A
导通电阻(RDS(on))80mΩ@10V,17.6A
耗散功率(Pd)391W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)161nC@10V
输入电容(Ciss)4.44nF@100V
反向传输电容(Crss)754pF@0400V
工作温度-40℃~+150℃

商品概述

CoolMOS™ 是一项用于高压功率 MOSFET 的革命性技术,依据超结(SJ)原理设计。650V CoolMOS™ CFDA 系列融合了领先的 SJ MOSFET 供应商的经验与一流的创新技术。由此产生的器件具备快速开关 SJ MOSFET 的所有优势,同时还提供极快速且坚固的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与极高的坚固性相结合,尤其使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便且低温。

商品特性

~~- 超快体二极管-极高的换向耐用性-由于极低的品质因数 Rdson*QG 和 Eoss,损耗极低-易于使用/驱动-通过 AEC Q101 认证-环保封装(符合 RoHS 标准),无铅电镀,模塑料无卤

应用领域

  • 650V CoolMOS™ CFDA 专为开关应用而设计。

数据手册PDF