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IPW60R099C7实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPW60R099C7

600V CoolMOS C7功率晶体管

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描述
CoolMOS™ C7是用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。600V CoolMOS™ C7系列结合了领先SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。600V C7是首款RDS(on)*A低于10nΩ*mm的技术。
商品型号
IPW60R099C7
商品编号
C537460
商品封装
TO-247​
包装方式
管装
商品毛重
8.55克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)36A
导通电阻(RDS(on))99mΩ@10V,9.7A
耗散功率(Pd)110W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3.5V
栅极电荷量(Qg)42nC@10V
输入电容(Ciss)1.819nF@400V
反向传输电容(Crss)641pF@400V
工作温度-55℃~+150℃

数据手册PDF