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IPW60R099CP

1个N沟道 耐压:650V 电流:31A

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描述
特性:最低优值 Rₒₙ × Qg。 极高的 dv/dt 额定值。 高峰值电流能力。 符合 JEDEC 工业级应用标准。 无铅引脚电镀;符合 RoHS 标准。 超低栅极电荷。应用:服务器和电信的硬开关开关电源拓扑
商品型号
IPW60R099CP
商品编号
C537461
商品封装
TO-247-3​
包装方式
管装
商品毛重
7.891克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)31A
导通电阻(RDS(on))99mΩ@10V,18A
耗散功率(Pd)255W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3.5V
栅极电荷量(Qg)60nC@10V
输入电容(Ciss)2.8nF@100V
反向传输电容(Crss)340pF@480V
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 最低品质因数 RON × Qg
  • 极高的 dv/dt 额定值
  • 高脉冲电流能力
  • 符合 JEDEC 工业级应用标准
  • 无铅引脚镀层;符合 RoHS 标准
  • 超低栅极电荷

应用领域

  • 服务器和电信领域的硬开关开关电源拓扑

数据手册PDF