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IPW60R120C7
1个N沟道 耐压:600V 电流:31A
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- 描述
- CoolMOS C7是一种用于高压功率MOSFET的创新技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS C7系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验和高级创新。600V C7是首款RDS(on) * A低于1Ohm * mm的技术。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPW60R120C7
- 商品编号
- C537466
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.55克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 31A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 231mΩ@10V,7.8A | |
| 耗散功率(Pd) | 92W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF@400V | |
| 反向传输电容(Crss) | 515pF@400V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
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