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IPW60R041P6
1个N沟道 耐压:650V 电流:49A
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPW60R041P6
- 商品编号
- C537449
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 49A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 41mΩ@10V,35.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 481W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 170nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.18nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CoolMOS™ 是用于高压功率 MOSFET 的一项革命性技术，依据超结（SJ）原理设计。CoolMOS™ P6 系列融合了领先超结 MOSFET 供应商的经验与一流创新。所提供的器件具备快速开关超结 MOSFET 的所有优势，同时不牺牲易用性。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便且低温。
商品特性
- 增强了 MOSFET 的 dv/dt 鲁棒性
- 极低的 FOM Rdson*Qg 和 Eoss 带来极低损耗
- 极高的换向鲁棒性
- 易于使用/驱动
- 无铅电镀，无卤模塑料
- 符合 JEDEC（J-STD20 和 JESD22）工业级应用标准
应用领域
- PFC 级
- 硬开关 PWM 级
- 谐振开关级，例如用于 PC 银盒、适配器、LCD 与 PDP 电视、照明、服务器、电信和 UPS