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IPW60R045P7
600V CoolMOSTM P7功率晶体管
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- 描述
- CoolMOS 7 代平台是高压功率 MOSFET 的一项革命性技术，根据超结 (SJ) 原理设计。它结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性，如极低的振铃趋势、体二极管在硬换向时的出色鲁棒性和出色的 ESD 能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且散热更好。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPW60R045P7
- 商品编号
- C537451
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.190909克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 61A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 201W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@1.08mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.891nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.212nF@400V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 63pF |
商品概述
CoolMOS™ 第七代平台是高压功率 MOSFET 的一项革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS™ P7 系列是 CoolMOS™ P6 系列的后续产品。它将快速开关超结 MOSFET 的优势与出色的易用性相结合，例如极低的振铃倾向、体二极管在硬换相时的出色耐用性以及卓越的静电放电（ESD）能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且散热更好。
商品特性
- 由于具有出色的换相耐用性，适用于硬开关和软开关（PFC 和 LLC）
- 显著降低开关和传导损耗
- 所有产品的 ESD 耐用性出色，>2kV（HBM）
- 低 RDS(on)A（低于 1 欧姆平方毫米）使产品的 RDS(on)/封装比竞品更优
应用领域
- 用于例如 PC 电源、适配器、液晶和等离子电视、照明、服务器、电信和不间断电源（UPS）等的 PFC 级、硬开关 PWM 级和谐振开关级。