温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IPW60R070CFD7
1个N沟道 耐压:650V 电流:31A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 是一种用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，根据超结 (SJ) 原理设计。最新的 CFD7 是 CFD2 系列的继任者，是为软开关应用（如相移全桥 (ZVS) 和 LLC）量身定制的优化平台。由于降低了栅极电荷 (Qg)、具有同类最佳的反向恢复电荷 (Qrr) 以及改进的关断性能，CFD7 在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，该新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换相鲁棒性相结合，且不影响设计过程中的易实现性。CFD7 技术满足最高的效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。总的来说，CFD7 使谐振开关拓扑更高效、更可靠、更轻便、更凉爽。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPW60R070CFD7
- 商品编号
- C537454
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 31A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@10V,15.1A | |
| 耗散功率(Pd) | 156W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 67nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.721nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 53pF |
商品概述
CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，依据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者，是专门针对移相全桥（ZVS）和LLC等软开关应用优化的平台。凭借降低的栅极电荷（Qg）、同类最佳的反向恢复电荷（Qrr）以及改进的关断特性，CoolMOS CFD7在谐振拓扑中实现了最高效率。作为快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列融合了快速开关技术的所有优势，同时具备出色的硬换相鲁棒性，且不影响设计导入过程的简易性。CoolMOS CFD7技术符合最高的效率和可靠性标准，还支持高功率密度解决方案。总体而言，CoolMOS CFD7使谐振开关拓扑更高效、更可靠、更轻便且更凉爽。
商品特性
~~- 超快体二极管-低栅极电荷-同类最佳的反向恢复电荷(Qrr)-改进的MOSFET反向二极管dv/dt和diF/dt鲁棒性-最低的品质因数RDS(ON)*Qg和RDS(ON)*Eoss-SMD和THD封装中同类最佳的RDS(ON)
应用领域
- 适用于软开关拓扑
- 针对移相全桥（ZVS）、LLC应用进行优化 - 服务器、电信、电动汽车充电