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IPU95R2K0P7实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPU95R2K0P7

1个N沟道 耐压:950V 电流:4A

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商品型号
IPU95R2K0P7
商品编号
C537436
商品封装
TO-251-3​
包装方式
管装
商品毛重
0.677克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)950V
连续漏极电流(Id)4A
导通电阻(RDS(on))2Ω@10V
耗散功率(Pd)37W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)10nC@10V
输入电容(Ciss)330pF
反向传输电容(Crss)81pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

最新的950V CoolMOS™ P7系列为950V超结技术树立了新标杆,将一流的性能与先进的易用性相结合,这得益于超18年的超结技术创新先驱经验。

商品特性

  • 一流的品质因数RDS(on) * Eoss;降低Qg、Ciss和Coss
  • 一流的IPAK RDS(on)
  • 一流的V(GS)th为3V,最小的V(GS)th变化范围为±0.5V
  • 集成齐纳二极管ESD保护
  • 一流的CoolMOSTM品质和可靠性
  • 全面优化的产品组合

应用领域

  • LED照明的反激式拓扑结构
  • 低功率充电器和适配器
  • 智能电表
  • 辅助电源
  • 工业电源
  • 消费和太阳能应用中的PFC级

数据手册PDF