IPT65R105G7
IPT65R105G7
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPT65R105G7
- 商品编号
- C531218
- 商品封装
- HSOF-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 105mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 156W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@400V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.67nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 579pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者，是专门针对移相全桥（ZVS）和LLC等软开关应用优化的平台。由于降低了栅极电荷（Qg）、具备同类最佳的反向恢复电荷（Qrr）以及改善了关断特性，CoolMOS CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换相鲁棒性相结合，且在设计导入过程中不影响其易实现性。CoolMOS CFD7技术符合最高的效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。总体而言，CoolMOS CFD7使谐振开关拓扑更高效、更可靠、更轻便且更低温。
商品特性
- C7 Gold在同类产品中拥有最佳的品质因数 RDS(on) * Eoss 和 RDS(on) * Qg。
- C7 Gold技术在最小的占位面积下实现了同类最佳的 \mathsfRDS(on)。
- TOLL封装内置第4引脚开尔文源配置,且源极寄生电感低(约1nH)。
- TOLL封装符合MSL1标准,完全无铅,引脚带有便于目视检查的凹槽,并且根据JEDEC(J - STD20和JESD22)标准通过了工业应用认证。
- TOLL SMD封装与无铅芯片贴装工艺相结合,提高了热性能 Rth。
应用领域
- 用于计算、服务器、电信、UPS和太阳能等领域的PFC级和硬开关PWM级。