IPT65R195G7
IPT65R195G7
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPT65R195G7
- 商品编号
- C531219
- 商品封装
- HSOF-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 195mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 97W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@400V | |
| 输入电容(Ciss) | 996pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
最新的800V CoolMOS™ P7系列为800V超结技术树立了新标杆，将一流的性能与最先进的易用性相结合，这得益于英飞凌超过18年的超结技术创新先驱经验。
商品特性
- C7 GOLD在同类产品中具有最佳的品质因数 RDS(on) * Eoss 和 RDS(on) * Qg。
- C7 GOLD技术可在最小的占位面积内实现同类最佳的 \mathsfRDS(on)。
- TOLL封装内置第4引脚开尔文源配置,且源极寄生电感低(约1nH)。
- TOLL封装符合MSL1标准,完全无铅,引脚带有便于目视检查的凹槽,并且根据JEDEC(J - STD20和JESD22)标准通过了工业应用认证。
- TOLL SMD封装与无铅芯片贴装工艺相结合,可改善热性能 Rth。
应用领域
- 例如,用于计算、服务器、电信、UPS和太阳能领域的PFC级和硬开关PWM级。