IPU80R600P7
IPU80R600P7
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPU80R600P7
- 商品编号
- C531228
- 商品封装
- TO-251-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.677克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@10V,3.4A | |
| 耗散功率(Pd) | 60W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 570pF@500V | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF@500V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
最新的800V CoolMOS™ P7系列为800V超结技术树立了新标杆，将一流性能与先进易用性完美结合，这得益于英飞凌超18年的超结技术创新先驱经验。
商品特性
- 一流的品质因数（导通电阻RDS(on)乘以输出存储能量E_oss）；降低栅极电荷Q_g、输入电容C_iss和输出电容C_oss
- 一流的DPAK导通电阻RDS(on)
- 一流的栅源阈值电压V_(GS)th为3V，且V_(GS)th变化范围最小，仅为±0.5V
- 集成齐纳二极管静电放电保护
- 完全符合JEDEC工业应用标准
- 产品组合完全优化
应用领域
- 推荐用于LED照明、低功率充电器和适配器、音频、辅助电源和工业电源的硬开关和软开关反激拓扑。
- 也适用于消费类应用和太阳能领域的功率因数校正（PFC）级。