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IPU80R600P7实物图
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IPU80R600P7

IPU80R600P7

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
商品型号
IPU80R600P7
商品编号
C531228
商品封装
TO-251-3​
包装方式
管装
商品毛重
0.677克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)800V
连续漏极电流(Id)8A
导通电阻(RDS(on))600mΩ@10V
耗散功率(Pd)60W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)20nC@10V
输入电容(Ciss)570pF
反向传输电容(Crss)11pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

最新的800V CoolMOS™ P7系列为800V超结技术树立了新标杆,将一流性能与先进易用性完美结合,这得益于英飞凌超18年的超结技术创新先驱经验。

商品特性

  • 一流的品质因数 RDS(on) * Eoss;降低 Qg、Ciss 和 Coss
  • 一流的DPAK封装 RDS(on)
  • 一流的3V V(GS)th 和最小的 \pm 0.5V V(GS)th 变化
  • 集成齐纳二极管静电放电保护
  • 完全符合JEDEC工业应用标准
  • 全面优化的产品组合

应用领域

-LED照明-低功率充电器和适配器-音频-辅助电源-工业电源-消费应用中的PFC级-太阳能

数据手册PDF