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IPU80R1K4P7
1个N沟道 耐压:800V 电流:4A
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- 描述
- 最新的800V CoolMOS™ P7系列为800V超结技术树立了新标杆，它将一流的性能与先进的易用性完美结合，这得益于英飞凌在超结技术领域超过18年的创新探索。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPU80R1K4P7
- 商品编号
- C531223
- 商品封装
- TO-251-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.1Ω@10V,1.4A | |
| 耗散功率(Pd) | 32W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 250pF@500V | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.5pF@500V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 针对电子保险丝和或门应用进行优化
- 极低的导通电阻，在栅源电压为 4.5 V 时的漏源导通电阻
- 100% 雪崩测试
- 出色的热阻性能
- N 沟道
- 针对目标应用通过 JEDEC 认证
- 无铅引脚镀层；符合 RoHS 标准