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IPU80R3K3P7

IPU80R3K3P7

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商品型号
IPU80R3K3P7
商品编号
C531226
商品封装
TO-251-3​
包装方式
管装
商品毛重
0.677克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)800V
连续漏极电流(Id)1.9A
导通电阻(RDS(on))3.3Ω@10V
耗散功率(Pd)18W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)5.8nC@10V
输入电容(Ciss)120pF
反向传输电容(Crss)38pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

C7 GOLD系列(G7)首次将C7 GOLD CoolMOS技术的优势、4引脚开尔文源功能以及TOLL封装改进后的热性能相结合,为高达3kW的PFC等高电流拓扑结构提供了一种可能的表面贴装器件(SMD)解决方案。

商品特性

  • 一流的品质因数 RDS(on) * Eoss;降低了 Qg、Ciss 和 Coss
  • 一流的DPAK封装 RDS(on)
  • 一流的 V(GS)th 为3V,且 V(GS)th 变化最小,为 \pm 0.5V
  • 集成齐纳二极管静电放电保护
  • 完全符合JEDEC工业应用标准
  • 全面优化的产品组合

应用领域

  • 用于LED照明的硬开关和软开关反激式拓扑
  • 低功率充电器和适配器
  • 音频设备
  • 辅助电源
  • 工业电源
  • 消费类应用中的功率因数校正(PFC)级
  • 太阳能

数据手册PDF