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IPT60R065S7实物图
  • IPT60R065S7商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPT60R065S7

1个N沟道 耐压:600V 电流:8A

商品型号
IPT60R065S7
商品编号
C531212
商品封装
HSOF-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.9克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)8A
导通电阻(RDS(on))65mΩ@12V,8A
耗散功率(Pd)167W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)51nC@12V
输入电容(Ciss)1.932nF@300V
反向传输电容(Crss)904pF@300V
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

IPT60R065S7为低频开关应用提供了卓越的性价比。CoolMOS™ S7高压超结MOSFET具备极低的导通电阻(Rdson)值,显著提高了能源效率。CoolMOS™ S7针对“静态开关”和大电流应用进行了优化,是固态继电器和断路器设计以及开关电源(SMPS)和逆变器拓扑中线路整流的理想选择。

商品特性

  • 采用CoolMOS™ S7技术,在最小封装尺寸下实现22mΩ的导通电阻(RDS(on))
  • 低频开关应用中具备优化的性价比
  • 高脉冲电流能力
  • 开尔文源极引脚提高了大电流下的开关性能
  • TOLL封装符合MSL1标准,完全无铅,引脚便于目视检查

应用领域

  • 固态继电器和断路器
  • 高功率/高性能应用(如计算机、电信、不间断电源(UPS)和太阳能)中线路整流的二极管桥并联/替代方案

数据手册PDF