温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 102mΩ@10V,7.8A | |
| 耗散功率(Pd) | 141W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.32nF@400V | |
| 反向传输电容(Crss) | 516pF@400V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的中功率DFN2020MD-6（SOT1220）表面贴装器件（SMD）塑料封装N沟道增强型场效应晶体管（FET）。
商品特性
- 扩展温度范围：结温（Tj）=175℃
- 侧面可焊边，便于光学焊料检查
- 静电放电（ESD）保护>2 kV HBM（H2类）
- 沟槽MOSFET技术
- 通过AEC-Q101认证
应用领域
-继电器驱动器-高速线路驱动器-低端负载开关-开关电路