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IPT60R125G7
1个N沟道 耐压:650V 电流:27A
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- 描述
- C7 GOLD系列（G7）首次将C7 GOLD CoolMOS技术的优势、4引脚开尔文源功能以及TOLL封装改进的热性能相结合，为高达3kW的高电流拓扑（如PFC）提供了一种可能的SMD解决方案。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPT60R125G7
- 商品编号
- C531215
- 商品封装
- HSOF-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.86克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 27A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 125mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 120W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.08nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 420pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
最新的800V CoolMOS™ P7系列为800V超结技术树立了新标杆，将一流的性能与先进的易用性相结合，这得益于英飞凌超过18年的超结技术创新先驱经验。
商品特性
- C7 Gold在同类产品中具有最佳的品质因数RDS(on) * Eoss和RDS(on) * Qg。
- 适用于硬开关和软开关(PFC和高性能LLC)。
- C7 Gold技术能在最小的占位面积内实现同类最佳的\mathsfRDS(on)。
- TOLL封装内置第4引脚开尔文源配置,且源极寄生电感低(约1nH)。
- TOLL封装符合MSL1标准,完全无铅,引脚有便于目视检查的凹槽,并且根据JEDEC(J - STD20和JESD22)标准通过了工业应用认证。
- TOLL SMD封装与无铅芯片贴装工艺相结合,可改善热性能Rth。
应用领域
- 用于高功率/高性能开关电源(SMPS)的PFC级和PWM级(TTF、LLC),例如计算机、服务器、电信、UPS和太阳能领域。