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IPT60R125G7
1个N沟道 耐压:650V 电流:27A
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- 描述
- C7 GOLD系列（G7）首次将C7 GOLD CoolMOS技术的优势、4引脚开尔文源功能以及TOLL封装改进的热性能相结合，为高达3kW的高电流拓扑（如PFC）提供了一种可能的SMD解决方案。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPT60R125G7
- 商品编号
- C531215
- 商品封装
- HSOF-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.86克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 27A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 125mΩ@10V,6.4A | |
| 耗散功率(Pd) | 120W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.08nF@400V | |
| 反向传输电容(Crss) | 420pF@400V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
最新的800V CoolMOS™ P7系列为800V超结技术树立了新标杆，将一流的性能与先进的易用性相结合，这得益于英飞凌超过18年的超结技术创新先驱经验。
商品特性
- 一流的品质因数：导通状态下的漏源电阻（RDS(on)）*输出电容能量（Eoss）；降低了栅极电荷（Qg）、输入电容（Ciss）和输出电容（Coss）
- 一流的DPAK导通状态下的漏源电阻（RDS(on)）
- 一流的栅源阈值电压（V(GS)th）为3V，且V(GS)th变化最小，为±0.5V
- 集成齐纳二极管静电放电保护
- 完全符合JEDEC工业应用标准
- 全面优化的产品组合
应用领域
- 用于LED照明的硬开关和软开关反激式拓扑
- 低功率充电器和适配器
- 音频
- 辅助电源
- 工业电源
- 消费类应用中的功率因数校正（PFC）级
- 太阳能