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IPT60R080G7实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPT60R080G7

1个N沟道 耐压:650V 电流:40A

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描述
C7 GOLD系列首次将C7 GOLD CoolMOS技术的优势、4引脚开尔文源功能和TOLL封装改进的热性能结合在一起,为高达3kW的高电流拓扑(如PFC)提供了一种可能的表面贴装解决方案。
商品型号
IPT60R080G7
商品编号
C531213
商品封装
HSOF-8​
包装方式
编带
商品毛重
1.33克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))80mΩ@10V,9.7A
耗散功率(Pd)167W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3.5V
栅极电荷量(Qg)42nC@10V
输入电容(Ciss)1.64nF@400V
反向传输电容(Crss)643pF@400V
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

C7 GOLD系列(G7)首次将C7 GOLD CoolMOS技术的优势、4引脚开尔文源功能以及TOLL封装改进后的热性能相结合,为高达3kW的PFC等高电流拓扑结构提供了一种可行的表面贴装器件(SMD)解决方案。

商品特性

  • C7 Gold在同类产品中具有最佳的品质因数RDS(on) * Eoss和RDS(on) * Qg。
  • 适用于硬开关和软开关(PFC和高性能LLC)。
  • C7 Gold技术在最小的占位面积内实现了同类最佳的RDS(on)。
  • TOLL封装内置第4引脚开尔文源配置,且源极寄生电感低(约1nH)。
  • TOLL封装符合MSL1标准,完全无铅,引脚带有便于目视检查的凹槽,并且根据JEDEC(J - STD20和JESD22)标准通过了工业应用认证。
  • TOLL SMD封装与无铅芯片贴装工艺相结合,提高了热性能Rth。

应用领域

  • 用于高功率/高性能开关模式电源(SMPS)的PFC级和PWM级(TTF、LLC),如计算机、服务器、电信、UPS和太阳能领域。

数据手册PDF