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IPSA70R950CE实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPSA70R950CE

1个N沟道 耐压:700V 电流:8.7A

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商品型号
IPSA70R950CE
商品编号
C531196
商品封装
TO-251-3​
包装方式
管装
商品毛重
0.677克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)750V
连续漏极电流(Id)8.7A
导通电阻(RDS(on))950mΩ@10V,1.5A
耗散功率(Pd)94W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3.5V
栅极电荷量(Qg)15.3nC@10V
输入电容(Ciss)328pF@100V
反向传输电容(Crss)58.5pF@480V
工作温度-40℃~+150℃

商品概述

CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术,它是根据超结(SJ)原理设计的。CoolMOS CE是一个经过性价比优化的平台,能够在满足最高效率标准的同时,瞄准消费和照明市场中对成本敏感的应用。该新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优势,同时不牺牲易用性,并提供市场上最佳的降本性能比。

商品特性

~~- 由于极低的品质因数Rdson*Qg和Eoss,损耗极低-极高的换向鲁棒性-易于使用/驱动-无铅镀层,无卤模塑料-适用于标准等级应用-引脚间具备隔离耐压

应用领域

  • 适配器-液晶和等离子电视-室内照明

数据手册PDF