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IPS65R1K4C6

IPS65R1K4C6

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商品型号
IPS65R1K4C6
商品编号
C537280
商品封装
TO-251-3​
包装方式
管装
商品毛重
0.677克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)3.2A
导通电阻(RDS(on))1.4Ω@10V
耗散功率(Pd)28W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)10.5nC@10V
输入电容(Ciss)225pF
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

CoolMOS是高压功率MOSFET的一项革命性技术,它基于超结(SJ)原理设计。CoolMOS C6系列融合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流的创新技术。由此产生的器件在不牺牲易用性的前提下,具备快速开关SJ MOSFET的所有优势。极低的开关损耗和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便且散热性能更好。

商品特性

  • 由于极低的品质因数Rdson*Qg和Eoss,损耗极低
  • 极高的换向鲁棒性
  • 易于使用/驱动
  • 无铅镀层,无卤模塑料
  • 符合JEDEC(J-STD20和JESD22)工业级应用标准

应用领域

  • 用于如PC主机、适配器、液晶与等离子电视、照明、服务器、电信和不间断电源(UPS)等设备的功率因数校正(PFC)级、硬开关脉宽调制(PWM)级和谐振开关PWM级。

数据手册PDF