IPS70R2K0CE
1个N沟道 耐压:700V 电流:4A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPS70R2K0CE
- 商品编号
- C537285
- 商品封装
- TO-251-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.677克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 42W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
商品概述
CoolMOS™ 是一项用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，依据超结（SJ）原理设计。CoolMOS™ CE 是一个经过性价比优化的平台，能够满足消费和照明市场对成本敏感的应用需求，同时仍符合最高效率标准。该新系列具备快速开关超结 MOSFET 的所有优势，且不牺牲易用性，还提供了市场上最佳的降本性能比。
商品特性
- 由于极低的品质因数 Rdson*Qg 和 Eoss,损耗极低
- 极高的换向鲁棒性
- 易于使用/驱动
- 无铅镀层,无卤模塑料
- 适用于标准等级应用
应用领域
- 移动设备和电动工具低功率充电器中的(QR)反激式电路