IPS65R650CE
IPS65R650CE
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPS65R650CE
- 商品编号
- C537282
- 商品封装
- TO-251-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.677克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 650mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 86W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 440pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 88pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术，依据超结（SJ）原理设计。CoolMOS CE是一个经过性价比优化的平台，在满足最高效率标准的同时，可用于消费和照明市场对成本敏感的应用。该新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优势，同时不牺牲易用性，且拥有市场上最佳的成本效益比。
商品特性
-由于极低的品质因数RDS(ON)*Qg和Eoss,损耗极低-极高的换向鲁棒性-易于使用/驱动-无铅镀层,无卤模塑料-适用于标准等级应用
应用领域
- 功率因数校正(PFC)级、硬开关PWM级和谐振开关级,例如用于电脑主机、适配器、液晶和等离子电视以及室内照明。